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Référence fabricant | DMP2033UCB9-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMP2033UCB9-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMP2033UCB9-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | -6V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | U-WLB1515-9 |
Paquet / caisse | 9-UFBGA, WLBGA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP2033UCB9-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMP2033UCB9-7-FT |
DMT43M8LFV-7
Diodes Incorporated
DMT6005LFG-13
Diodes Incorporated
DMT6017LFV-7
Diodes Incorporated
DMTH3004LFGQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LFVW-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LFVW-7
Diodes Incorporated
DMTH6016LFVWQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LFVWQ-7
Diodes Incorporated
DMTH8012LPSW-13
Diodes Incorporated
FDP2D3N10C
ON Semiconductor
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.