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Diodes Incorporated DMN80H2D0SCTI

Name: DMN80H2D0SCTI
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN80H2D0SCTI
Price: 1.1808 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (62 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN80H2D0SCTI

quantité disponible: 93870 Pièces

Prix de référence: USD 1.1808

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN80H2D0SCTI.pdf

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DMN80H2D0SCTI Caractéristiques

Référence fabricant	DMN80H2D0SCTI
Numéro de pièce future	FT-DMN80H2D0SCTI
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN80H2D0SCTI Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	35.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1253pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	41W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	ITO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN80H2D0SCTI Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN80H2D0SCTI-FT

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