maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMN601WKQ-7
Référence fabricant | DMN601WKQ-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN601WKQ-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DMN601WKQ-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 300mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 200mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-323 |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN601WKQ-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN601WKQ-7-FT |
DMP2088LCP3-7
Diodes Incorporated
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LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
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