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Référence fabricant | DMN2020UFCL-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN2020UFCL-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN2020UFCL-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1788pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 610mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | X1-DFN1616-6 (Type E) |
Paquet / caisse | 6-PowerUFDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2020UFCL-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN2020UFCL-7-FT |
DMN3025LSS-13
Diodes Incorporated
DMT6016LSS-13
Diodes Incorporated
DMN4034SSS-13
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DMT6017LSS-13
Diodes Incorporated
ZXMP6A17N8TC
Diodes Incorporated
DMT6015LSS-13
Diodes Incorporated
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel