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Diodes Incorporated DMG4468LFG

Name: DMG4468LFG
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG4468LFG
Availability: InStock
Rating: 4.8 (222 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMG4468LFG

quantité disponible: 57160 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMG4468LFG.pdf

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DMG4468LFG Caractéristiques

Référence fabricant	DMG4468LFG
Numéro de pièce future	FT-DMG4468LFG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMG4468LFG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	7.62A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18.85nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	867pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	990mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	U-DFN3030-8
Paquet / caisse	8-PowerUDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG4468LFG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMG4468LFG-FT

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