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DMN3190LDW-7 Image

Diodes Incorporated DMN3190LDW-7

Numéro de pièce MFG
DMN3190LDW-7
quantité disponible
57000 Pièces
Prix de référence
USD 0.0768
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMN3190LDW-7.pdf
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DMN3190LDW-7 Caractéristiques

Référence fabricant DMN3190LDW-7
Numéro de pièce future FT-DMN3190LDW-7
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMN3190LDW-7 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 87pF @ 20V
Puissance - Max 320mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur SOT-363
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3190LDW-7 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMN3190LDW-7-FT

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