maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / DMN3190LDW-7
Référence fabricant | DMN3190LDW-7 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DMN3190LDW-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN3190LDW-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 1.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 87pF @ 20V |
Puissance - Max | 320mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3190LDW-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN3190LDW-7-FT |
ZXMP3F37DN8TA
Diodes Incorporated
DMN32D2LDF-7
Diodes Incorporated
DMN1033UCB4-7
Diodes Incorporated
DMN1002UCA6-7
Diodes Incorporated
DMN2005DLP4K-7
Diodes Incorporated
DMN1150UFL3-7
Diodes Incorporated
DMC3730UFL3-7
Diodes Incorporated
DMN2016LFG-7
Diodes Incorporated
DMG8601UFG-7
Diodes Incorporated
DMN2016LHAB-7
Diodes Incorporated
LCMXO2-2000HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-3BG272
Microsemi Corporation
A3P125-2VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XCKU3P-2FFVD900I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C6
Intel
EPF10K130EBC356-1
Intel
5SGXEA3H3F35I3L
Intel