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Diodes Incorporated DMG8601UFG-7

Numéro de pièce MFG
DMG8601UFG-7
quantité disponible
31770 Pièces
Prix de référence
USD 0.170504
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMG8601UFG-7.pdf
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DMG8601UFG-7 Caractéristiques

Référence fabricant DMG8601UFG-7
Numéro de pièce future FT-DMG8601UFG-7
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMG8601UFG-7 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.05V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 143pF @ 10V
Puissance - Max 920mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-PowerUDFN
Package d'appareils du fournisseur U-DFN3030-8
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG8601UFG-7 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMG8601UFG-7-FT

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