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Référence fabricant | DMN2016LHAB-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN2016LHAB-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN2016LHAB-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 10V |
Puissance - Max | 1.2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | U-DFN2030-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2016LHAB-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN2016LHAB-7-FT |
DMP3056LSDQ-13
Diodes Incorporated
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XCS30XL-4TQ144C
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M2GL050T-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CGX110CF23I7N
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5SGXEA5N2F40C1N
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5SGXMA7K3F40C2N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
XC5VSX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5F23C7N
Intel
10AX066N4F40I3LG
Intel