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Diodes Incorporated DMN3035LWN-7
- Numéro de pièce MFG
- DMN3035LWN-7
- quantité disponible
- 72130 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.162456
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Diodes Incorporated
- Brève description
- - MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- DMN3035LWN-7.pdf
DMN3035LWN-7 Caractéristiques
| Référence fabricant | DMN3035LWN-7 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-DMN3035LWN-7 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| DMN3035LWN-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caractéristique FET | Standard |
| Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.9nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 399pF @ 15V |
| Puissance - Max | 770mW |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
| Package d'appareils du fournisseur | V-DFN3020-8 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMN3035LWN-7 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | DMN3035LWN-7-FT |
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