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Diodes Incorporated DMJ70H1D5SV3

Numéro de pièce MFG
DMJ70H1D5SV3
quantité disponible
58560 Pièces
Prix de référence
USD 0.81344
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMJ70H1D5SV3.pdf
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DMJ70H1D5SV3 Caractéristiques

Référence fabricant DMJ70H1D5SV3
Numéro de pièce future FT-DMJ70H1D5SV3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMJ70H1D5SV3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 316pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 78W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-251
Paquet / caisse TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMJ70H1D5SV3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMJ70H1D5SV3-FT

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