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Référence fabricant | DMC1030UFDB-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMC1030UFDB-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DMC1030UFDB-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel Complementary |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V |
Puissance - Max | 1.36W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | U-DFN2020-6 (Type B) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMC1030UFDB-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMC1030UFDB-7-FT |
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LFXP3C-3TN100C
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AFS1500-1FG484K
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AGLN250V2-ZVQ100I
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EP3C16F256C8N
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XC4VLX25-11FFG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PL84I
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