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Diodes Incorporated HTMN5130SSD-13

Name: HTMN5130SSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: HTMN5130SSD-13
Price: 0.80624 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (321 reviews)

Numéro de pièce MFG: HTMN5130SSD-13

quantité disponible: 19970 Pièces

Prix de référence: USD 0.80624

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: HTMN5130SSD-13.pdf

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HTMN5130SSD-13 Caractéristiques

Référence fabricant	HTMN5130SSD-13
Numéro de pièce future	FT-HTMN5130SSD-13
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
HTMN5130SSD-13 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Standard
Drain à la tension source (Vdss)	55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8.9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	218.7pF @ 25V
Puissance - Max	1.7W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur	8-SO
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HTMN5130SSD-13 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	HTMN5130SSD-13-FT

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