maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / DMTH6016LSDQ-13
Référence fabricant | DMTH6016LSDQ-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMTH6016LSDQ-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMTH6016LSDQ-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.6A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 864pF @ 30V |
Puissance - Max | 1.4W, 1.9W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMTH6016LSDQ-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMTH6016LSDQ-13-FT |
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