maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / DFE252012F-6R8M=P2
Référence fabricant | DFE252012F-6R8M=P2 |
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Numéro de pièce future | FT-DFE252012F-6R8M=P2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DFE252012F |
DFE252012F-6R8M=P2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.2A |
Courant - Saturation | 1.9A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 330 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252012F-6R8M=P2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DFE252012F-6R8M=P2-FT |
DFE252012P-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610P-1R5M=P2
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XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
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