maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / DFE201210U-2R2M=P2
Référence fabricant | DFE201210U-2R2M=P2 |
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Numéro de pièce future | FT-DFE201210U-2R2M=P2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DFE201210U |
DFE201210U-2R2M=P2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Metal |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.2A |
Courant - Saturation | 2A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 228 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201210U-2R2M=P2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DFE201210U-2R2M=P2-FT |
DFE252010P-1R5M=P2
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Intel
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel