Référence fabricant | DFB2020 |
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Numéro de pièce future | FT-DFB2020 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DFB2020 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 20A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, TS-6P |
Package d'appareils du fournisseur | TS-6P |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFB2020 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DFB2020-FT |
FBO16-12N
IXYS
FBO40-12N
IXYS
FUO50-16N
IXYS
GUO40-12NO1
IXYS
FUO22-12N
IXYS
FBS16-06SC
IXYS
DD170N16SHPSA1
Infineon Technologies
GHXS030A060S-D1E
Global Power Technologies Group
GHXS030A120S-D1
Global Power Technologies Group
GHXS010A060S-D1E
Global Power Technologies Group
A1010B-PQG100I
Microsemi Corporation
APA600-BG456
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2LN
Intel
EP4CE15E22I7
Intel
XC3090A-7PC84C
Xilinx Inc.
XC7K480T-2FF901C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-9FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19I7
Intel
EP4CE55F29I7
Intel