maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / FBO16-12N
Référence fabricant | FBO16-12N |
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Numéro de pièce future | FT-FBO16-12N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FBO16-12N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.2kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 22A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.43V @ 20A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | i4-Pac™-5 |
Package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS i4-PAC™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FBO16-12N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FBO16-12N-FT |
VBO52-08NO7
IXYS
VBO52-12NO7
IXYS
VBO52-16NO7
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VBO52-18NO7
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VBO72-08NO7
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VBO72-16NO7
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VBO72-18NO7
IXYS
VUO62-08NO7
IXYS
VUO62-12NO7
IXYS
A40MX04-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A100T-1FG676I
Xilinx Inc.
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
AX250-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3DQI
Microchip Technology
10M40DAF256I7G
Intel
5SGSMD4E3H29C4N
Intel
5SGXEA4K2F35C1N
Intel
LFEC33E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30EQC208-3
Intel