Référence fabricant | DF10S1 |
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Numéro de pièce future | FT-DF10S1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DF10S1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF10S1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DF10S1-FT |
2KBP005M
ON Semiconductor
2KBP01M
ON Semiconductor
2KBP02M
ON Semiconductor
2KBP04M
ON Semiconductor
2KBP06M
ON Semiconductor
2KBP08M
ON Semiconductor
2KBP10M
ON Semiconductor
3N246
ON Semiconductor
3N247
ON Semiconductor
3N248
ON Semiconductor
XC3S1200E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2A15F672I8
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
EP1AGX60DF780I6N
Intel