Référence fabricant | DF06S-T |
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Numéro de pièce future | FT-DF06S-T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DF06S-T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | DF-S |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF06S-T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DF06S-T-FT |
GBU410
Diodes Incorporated
GBU602
Diodes Incorporated
GBU806
Diodes Incorporated
GBU4005
Diodes Incorporated
GBU1008
Diodes Incorporated
GBU406
Diodes Incorporated
GBU404
Diodes Incorporated
GBU810
Diodes Incorporated
GBU601
Diodes Incorporated
GBU604
Diodes Incorporated
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FTG256C
Xilinx Inc.
APA300-PQG208M
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E4F29E3LG
Intel
5SGXMBBR2H43I2N
Intel
XC2VP40-5FFG1148C
Xilinx Inc.
XA6SLX45T-2CSG324Q
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I4LN
Intel