Référence fabricant | GBU410 |
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Numéro de pièce future | FT-GBU410 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU410 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 2A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU410 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU410-FT |
GBPC12005W
ON Semiconductor
GBPC1202W
ON Semiconductor
DF005M
ON Semiconductor
DFB20100F162
ON Semiconductor
MB10S-13
Diodes Incorporated
MB10F-13
Diodes Incorporated
ABS10B-13
Diodes Incorporated
ABS210-13
Diodes Incorporated
UABF1510-13
Diodes Incorporated
ABS10A-13
Diodes Incorporated
LFE2-6SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200E-7FG456C
Xilinx Inc.
10M08SCE144I7G
Intel
5SGXEB5R1F43C2LN
Intel
A40MX02-1PL44M
Microsemi Corporation
XC7K325T-1FFG900I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29E1HG
Intel
EP20K60EQC208-2XN
Intel
5SGSMD3H1F35C2LN
Intel