Référence fabricant | GBU810 |
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Numéro de pièce future | FT-GBU810 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU810 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 4A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU810 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU810-FT |
ABS210-13
Diodes Incorporated
UABF1510-13
Diodes Incorporated
ABS10A-13
Diodes Incorporated
RABF1510-13
Diodes Incorporated
RABF210-13
Diodes Incorporated
MB1505
Diodes Incorporated
MB151
Diodes Incorporated
MB151-F
Diodes Incorporated
MB152
Diodes Incorporated
MB152-F
Diodes Incorporated
AGL400V2-FG256
Microsemi Corporation
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP1K50FC256-2N
Intel
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
A1020B-1PLG44I
Microsemi Corporation
LFXP6E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7
Intel