maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DDTD123EC-7-F
Référence fabricant | DDTD123EC-7-F |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DDTD123EC-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDTD123EC-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 39 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTD123EC-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDTD123EC-7-F-FT |
DDTC122TE-7
Diodes Incorporated
DDTC123EE-7
Diodes Incorporated
DDTC123EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC123JE-7
Diodes Incorporated
DDTC123TE-7
Diodes Incorporated
DDTC123YE-7
Diodes Incorporated
DDTC123YE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC124GE-7
Diodes Incorporated
DDTC124TE-7
Diodes Incorporated
DDTC124TEQ-7-F
Diodes Incorporated
XCS30-3TQ144I
Xilinx Inc.
EX256-FTQG100
Microsemi Corporation
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144
Microsemi Corporation
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VHX565T-1FFG1924I
Xilinx Inc.
10AX066H2F34I2LG
Intel
EP4CE75F29C6N
Intel
EP4SGX230FF35I4
Intel