maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DDTC122TE-7
Référence fabricant | DDTC122TE-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DDTC122TE-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDTC122TE-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 220 Ohms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC122TE-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDTC122TE-7-FT |
DDTC115TCA-7
Diodes Incorporated
DDTC124ECA-7
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EPF10K10ATC144-1
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EP2C35U484C8N
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10M16DCF484C7G
Intel
A40MX04-2PL44I
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XCKU040-3SFVA784E
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2LG
Intel