maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DDTC123EE-7
Référence fabricant | DDTC123EE-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DDTC123EE-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDTC123EE-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC123EE-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDTC123EE-7-FT |
DDTC124ECA-7
Diodes Incorporated
DDTC124GCA-7
Diodes Incorporated
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A3P1000-2FG484
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M7A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5FN1152I
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EP4CGX30CF23I7
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EP3C5E144I7
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XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
AGL060V5-CSG121I
Microsemi Corporation
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation