maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DDTD122TC-7
Référence fabricant | DDTD122TC-7 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DDTD122TC-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDTD122TC-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 220 Ohms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTD122TC-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDTD122TC-7-FT |
BCR 141F E6327
Infineon Technologies
BCR 142F E6327
Infineon Technologies
BCR 146F E6327
Infineon Technologies
BCR 148F B6327
Infineon Technologies
BCR 148F E6327
Infineon Technologies
BCR 149F E6327
Infineon Technologies
BCR 151F E6327
Infineon Technologies
BCR 153F E6327
Infineon Technologies
BCR 158F E6327
Infineon Technologies
BCR 162F E6327
Infineon Technologies
A3P015-2QNG68
Microsemi Corporation
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35U484I8N
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
XA7A15T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel