maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DDTB142TC-7
Référence fabricant | DDTB142TC-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DDTB142TC-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDTB142TC-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 470 Ohms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTB142TC-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDTB142TC-7-FT |
BCR 199L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 103F E6327
Infineon Technologies
BCR 108F E6327
Infineon Technologies
BCR 112F E6327
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BCR 114F E6327
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BCR 116F E6327
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BCR 119F E6327
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BCR 129F E6327
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BCR 133F B6327
Infineon Technologies
BCR 133F E6327
Infineon Technologies
XCV600E-7FG676C
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LFE2-20SE-5Q208I
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M1AGL600V2-FG484
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U1AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-9FTN256I
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AT6005-4AI
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5SGXEA7N3F40I4N
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EP3SL340F1517I4LN
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XC5VLX330-1FF1760C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6M132C
Lattice Semiconductor Corporation