maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / BCR 116F E6327
Référence fabricant | BCR 116F E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BCR 116F E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BCR 116F E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 150MHz |
Puissance - Max | 250mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSFP-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 116F E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BCR 116F E6327-FT |
PDTC114EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC114TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC114YMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC115EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC115TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC123EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC123JMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC123TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC123YMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC124EMB,315
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-4000HE-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4036XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
A3PN060-2VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27I7N
Intel
XC4028XL-09BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160A
Microsemi Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel