maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / PDTC114EMB,315
Référence fabricant | PDTC114EMB,315 |
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Numéro de pièce future | FT-PDTC114EMB,315 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PDTC114EMB,315 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA |
Fréquence - Transition | 230MHz |
Puissance - Max | 250mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-XFDFN |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1006B-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTC114EMB,315 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PDTC114EMB,315-FT |
PDTA123TM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA123YM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA124EM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA124TM,315
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PDTA143EM,315
Nexperia USA Inc.
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Nexperia USA Inc.
PDTA143XM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA143ZM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA144EM,315
Nexperia USA Inc.
XCV300E-7FG456C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG484
Microsemi Corporation
EP4CGX50CF23C8
Intel
5SGSMD4E1H29C1N
Intel
10CL006YE144I7G
Intel
5SGXMA7N3F45I3N
Intel
A1020B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation