maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / BCR 114F E6327
Référence fabricant | BCR 114F E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BCR 114F E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BCR 114F E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 160MHz |
Puissance - Max | 250mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSFP-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 114F E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BCR 114F E6327-FT |
PDTA144WMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC114EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC114TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC114YMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC115EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC115TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC123EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC123JMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC123TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC123YMB,315
Nexperia USA Inc.
A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA075-PQG208A
Microsemi Corporation
A42MX16-VQ100A
Microsemi Corporation
5SGXEA5K3F35C3N
Intel
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016AQC208-3N
Intel
5SGSMD4H2F35C1N
Intel