maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DDTB122TC-7
Référence fabricant | DDTB122TC-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DDTB122TC-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDTB122TC-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 220 Ohms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTB122TC-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDTB122TC-7-FT |
BCR 198L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 199L3 E6327
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BCR 103F E6327
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BCR 108F E6327
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BCR 112F E6327
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BCR 114F E6327
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BCR 119F E6327
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BCR 129F E6327
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BCR 133F B6327
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LFE2-12E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-3CSG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
EPF10K250EFC672-1
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5SGSMD3E2H29I3LN
Intel
5SGSMD4E2H29I3L
Intel
5SGXMA7H2F35C2LN
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EP3SE110F1152C2N
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EPF10K30EQI208-2N
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