maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DDTB122TC-7
Référence fabricant | DDTB122TC-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DDTB122TC-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDTB122TC-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 220 Ohms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTB122TC-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDTB122TC-7-FT |
BCR 198L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 199L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 103F E6327
Infineon Technologies
BCR 108F E6327
Infineon Technologies
BCR 112F E6327
Infineon Technologies
BCR 114F E6327
Infineon Technologies
BCR 116F E6327
Infineon Technologies
BCR 119F E6327
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BCR 129F E6327
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BCR 133F B6327
Infineon Technologies
AGLN020V5-CSG81I
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4020XL-3HT176I
Xilinx Inc.
EP4CE55F23C7N
Intel
5SGXMA4K3F40C2LN
Intel
10AX032H3F34I2SG
Intel
10M08SCE144A7G
Intel
5SGXMA3K3F35C2LN
Intel
XC5VLX30-1FF676C
Xilinx Inc.