Référence fabricant | DBD250G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DBD250G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DBD250G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 12.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBD250G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DBD250G-FT |
APTDC20H601G
Microsemi Corporation
APTDF100H1201G
Microsemi Corporation
APTDF100H120G
Microsemi Corporation
APTDF100H60G
Microsemi Corporation
APTDF200H20G
Microsemi Corporation
APTDR70X1601G
Microsemi Corporation
B412F-2
Sensata-Crydom
B483B-2
Sensata-Crydom
B483B-2T
Sensata-Crydom
B483G-2T
Sensata-Crydom
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel