maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DB3X313J0L
Référence fabricant | DB3X313J0L |
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Numéro de pièce future | FT-DB3X313J0L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DB3X313J0L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 30V |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini3-G3-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB3X313J0L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DB3X313J0L-FT |
1SS309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
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