maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAV70M-TP
Référence fabricant | BAV70M-TP |
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Numéro de pièce future | FT-BAV70M-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV70M-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2.5µA @ 75V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-723 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV70M-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV70M-TP-FT |
MBR3060CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3060FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3080CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3080FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3090CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3090FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR20100CT-G
Comchip Technology
MBR20150CT-G
Comchip Technology
MBR2030CT-G
Comchip Technology
MBR2040CT-G
Comchip Technology
XC6SLX9-2TQG144C
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A54SX08A-TQG144I
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A54SX32A-CQ208B
Microsemi Corporation
EP20K200CF672C9
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5SGXEA5N1F45C1N
Intel
XC7VX415T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-4CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-35E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2LG
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10AX057K1F35E1SG
Intel