maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / UMP11NTN
Référence fabricant | UMP11NTN |
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Numéro de pièce future | FT-UMP11NTN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UMP11NTN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 70V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | UMD6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UMP11NTN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UMP11NTN-FT |
MBR3080CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3080FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3090CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3090FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR20100CT-G
Comchip Technology
MBR20150CT-G
Comchip Technology
MBR2030CT-G
Comchip Technology
MBR2040CT-G
Comchip Technology
MBR2050CT-G
Comchip Technology
MBR2060CT-G
Comchip Technology
EP20K160ETC144-1X
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XC6SLX45-L1FGG484C
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AGLN250V5-ZCSG81I
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Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
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5CGXFC7C6U19C6N
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EPF10K50VBC356-4N
Intel