maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DA3S101J0L
Référence fabricant | DA3S101J0L |
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Numéro de pièce future | FT-DA3S101J0L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DA3S101J0L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 150mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 3ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 80V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-89, SOT-490 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-89 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DA3S101J0L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DA3S101J0L-FT |
MBR10200CS2TR-E1
Diodes Incorporated
MBR10200CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR10200CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR1060CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR20100CS2-G1
Diodes Incorporated
MBR20100CS2TR-E1
Diodes Incorporated
MBR20100CS2TR-G1
Diodes Incorporated
MBR20150CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR20200CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR20200CTF-G1
Diodes Incorporated
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel