maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / CSD75301W1015
Référence fabricant | CSD75301W1015 |
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Numéro de pièce future | FT-CSD75301W1015 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NexFET™ |
CSD75301W1015 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 195pF @ 10V |
Puissance - Max | 800mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-UFBGA, DSBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DSBGA (1x1.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD75301W1015 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSD75301W1015-FT |
SI7222DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7222DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7224DN-T1-E3
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SI7224DN-T1-GE3
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SI7501DN-T1-GE3
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SI7901EDN-T1-E3
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LFE2-20E-6QN208C
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Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1508C7N
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