maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / CSD25401Q3
Référence fabricant | CSD25401Q3 |
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Numéro de pièce future | FT-CSD25401Q3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NexFET™ |
CSD25401Q3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 14A (Ta), 60A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7 mOhm @ 10A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.8W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD25401Q3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSD25401Q3-FT |
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Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel