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Texas Instruments CSD25304W1015T

Numéro de pièce MFG
CSD25304W1015T
quantité disponible
13230 Pièces
Prix de référence
USD 0.298912
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Date d'expédition
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fabricant
Texas Instruments
Brève description
NexFET™ MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
CSD25304W1015T.pdf
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CSD25304W1015T Caractéristiques

Référence fabricant CSD25304W1015T
Numéro de pièce future FT-CSD25304W1015T
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries NexFET™
CSD25304W1015T Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.15V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 595pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 750mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 6-DSBGA
Paquet / caisse 6-UFBGA, DSBGA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD25304W1015T Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange CSD25304W1015T-FT

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