maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / CMRDM3575 TR
Référence fabricant | CMRDM3575 TR |
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Numéro de pièce future | FT-CMRDM3575 TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CMRDM3575 TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 160mA, 140mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 100mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.46nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9pF @ 15V |
Puissance - Max | 125mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-963 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-963 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CMRDM3575 TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CMRDM3575 TR-FT |
DMN3055LFDB-7
Diodes Incorporated
DMC1028UFDB-7
Diodes Incorporated
DMN2050LFDB-13
Diodes Incorporated
DMC1029UFDB-7
Diodes Incorporated
DMC1030UFDB-7
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DMP2060UFDB-7
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DMC1028UFDB-13
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DMC1029UFDB-13
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A54SX32A-2PQG208I
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M1A3PE3000-2PQ208
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