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Référence fabricant | DMC1029UFDB-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMC1029UFDB-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMC1029UFDB-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.6A, 3.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19.6nC @ 8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 914pF @ 6V |
Puissance - Max | 1.4W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | U-DFN2020-6 (Type B) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMC1029UFDB-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMC1029UFDB-13-FT |
ZXMC4A16DN8TA
Diodes Incorporated
ZXMHC6A07N8TC
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DI9942T
Diodes Incorporated
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DI9952T
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DI9956T
Diodes Incorporated
XC3S1400A-5FG676C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896A
Microsemi Corporation
A3PE3000-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N3F45I3LN
Intel
XC4010XL-3PC84I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F31I5N
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EP4SGX110DF29I3
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EP3CLS200F780C7N
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EP20K400CB652I8ES
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