maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / CIH03Q1N6SNC
Référence fabricant | CIH03Q1N6SNC |
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Numéro de pièce future | FT-CIH03Q1N6SNC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIH03Q |
CIH03Q1N6SNC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 1.6nH |
Tolérance | ±0.3nH |
Note actuelle | 410mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 130 mOhm Max |
Q @ Freq | 19 @ 500MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 10GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 500MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0201 (0603 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0201 (0603 Metric) |
Taille / Dimension | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.013" (0.33mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q1N6SNC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIH03Q1N6SNC-FT |
CIGT201210UHR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR47SNE
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CIGT201210UM1R0MNE
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CIGT201210UM1R5MNE
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CIGT201210UMR16MNE
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CIGT201210UMR24MNE
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CIGT201210UMR47MNE
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CIGT201210UMR47SNE
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CIGT201210UMR68MNE
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LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel