maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / CIGT201210UHR33MNE
Référence fabricant | CIGT201210UHR33MNE |
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Numéro de pièce future | FT-CIGT201210UHR33MNE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIGT |
CIGT201210UHR33MNE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Thin Film |
Matériau - Noyau | Metal Composite |
Inductance | 330nH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 4A |
Courant - Saturation | 5.4A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 26 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201210UHR33MNE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIGT201210UHR33MNE-FT |
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XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29I3
Intel