maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / CIGT201210UM1R0MNE
Référence fabricant | CIGT201210UM1R0MNE |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CIGT201210UM1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIGT |
CIGT201210UM1R0MNE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Thin Film |
Matériau - Noyau | Metal Composite |
Inductance | 1µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | - |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201210UM1R0MNE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIGT201210UM1R0MNE-FT |
CIG22E1R0MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22ER50SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L6R8MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252007LM1R0MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252007LM3R3MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LMR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
AT6010A-2AU
Microchip Technology
LCMXO256C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200A-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S400AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C80F484I7
Intel
10CX150YU484E5G
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
XC4VFX40-11FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation