maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / CIGT252010LM2R2SNE
Référence fabricant | CIGT252010LM2R2SNE |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CIGT252010LM2R2SNE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIGT |
CIGT252010LM2R2SNE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Thin Film |
Matériau - Noyau | Metal Composite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±0.3nH |
Note actuelle | - |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0806 (2016 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT252010LM2R2SNE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIGT252010LM2R2SNE-FT |
CIG22BR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR56MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR56MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22ER47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
XC2S15-6TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40C2
Intel
5SGSMD4E1H29C2LN
Intel
5SGSED6N3F45C2L
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85-3FFG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation