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Référence fabricant | CIG22H1R2MAE |
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Numéro de pièce future | FT-CIG22H1R2MAE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIG22H_MAE |
CIG22H1R2MAE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.7A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 65 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG22H1R2MAE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIG22H1R2MAE-FT |
CIH05Q2N7SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q33NJNC
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XA3S200A-4FTG256Q
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XC3S400-4FGG456C
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A54SX72A-FGG484
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M2GL010T-FGG484I
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A3PE3000-2PQG208I
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10M08DCF256C7G
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5SGXEABK2H40C2LN
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XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
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