maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / CIG22E1R5MNE
Référence fabricant | CIG22E1R5MNE |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CIG22E1R5MNE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIG22E |
CIG22E1R5MNE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 1.5µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.5A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 130 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG22E1R5MNE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIG22E1R5MNE-FT |
CIH05Q1N8SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q22NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q27NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q2N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q2N4SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q2N7SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q33NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q39NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q3N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q3N3SNC
Samsung Electro-Mechanics
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation