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Référence fabricant | CD214A-FS1600 |
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Numéro de pièce future | FT-CD214A-FS1600 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CD214A-FS1600 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CD214A-FS1600 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CD214A-FS1600-FT |
BAS316,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS316/DG/B3,115
Nexperia USA Inc.
BAS316/DG/B3,135
Nexperia USA Inc.
BAS40-13-F
Diodes Incorporated
BAS40-7-F-31
Diodes Incorporated
BAS40/DG/B2,215
Nexperia USA Inc.
BAS40/ZLR
Nexperia USA Inc.
BAS516,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS516,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS85 L0
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel