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Référence fabricant | BAS516,H3F |
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Numéro de pièce future | FT-BAS516,H3F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS516,H3F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 250mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 3ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200nA @ 80V |
Capacité @ Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | ESC |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS516,H3F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS516,H3F-FT |
56DN06ELEMPRXPSA1
Infineon Technologies
56DN06ELEMXPSA1
Infineon Technologies
5817SMG/TR13
Microsemi Corporation
5817SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
5818SMG/TR13
Microsemi Corporation
5818SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
5819SMG/TR13
Microsemi Corporation
5819SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
5822SMG/TR13
Microsemi Corporation
62-0209PBF
Infineon Technologies
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
5SGSMD5K1F40C2LN
Intel
5SGSMD3E3H29I3N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780C8
Intel