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BAS316,H3F Image

Toshiba Semiconductor and Storage BAS316,H3F

Numéro de pièce MFG
BAS316,H3F
quantité disponible
24300 Pièces
Prix de référence
USD 0.02448
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Diodes - Redresseurs - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
BAS316,H3F.pdf
BAS316,H3F Image

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BAS316,H3F Caractéristiques

Référence fabricant BAS316,H3F
Numéro de pièce future FT-BAS316,H3F
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
BAS316,H3F Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) 100V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) 250mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si 1.25V @ 150mA
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 3ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 200nA @ 80V
Capacité @ Vr, F 0.35pF @ 0V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse SC-76, SOD-323
Package d'appareils du fournisseur USC
Température de fonctionnement - Jonction 150°C (Max)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BAS316,H3F Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BAS316,H3F-FT

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