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Toshiba Semiconductor and Storage BAS316,H3F

Name: BAS316,H3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: BAS316,H3F
Price: 0.02448 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (531 reviews)

Numéro de pièce MFG: BAS316,H3F

quantité disponible: 24300 Pièces

Prix de référence: USD 0.02448

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: - DIODE GEN PURP 100V 250MA USC

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Diodes - Redresseurs - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BAS316,H3F.pdf

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BAS316,H3F Caractéristiques

Référence fabricant	BAS316,H3F
Numéro de pièce future	FT-BAS316,H3F
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
BAS316,H3F Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)	100V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io)	250mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si	1.25V @ 150mA
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	3ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	200nA @ 80V
Capacité @ Vr, F	0.35pF @ 0V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	SC-76, SOD-323
Package d'appareils du fournisseur	USC
Température de fonctionnement - Jonction	150°C (Max)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BAS316,H3F Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BAS316,H3F-FT

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