maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / CBR10-J100
Référence fabricant | CBR10-J100 |
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Numéro de pièce future | FT-CBR10-J100 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CBR10-J100 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, CM |
Package d'appareils du fournisseur | CM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR10-J100 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CBR10-J100-FT |
GBJ2504-03-G
Comchip Technology
GBJ2504-04-G
Comchip Technology
GBJ2504-05-G
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GBJ2504-06-G
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GBJ2504-G
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GBJ2506-03-G
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GBJ2506-04-G
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GBJ2506-05-G
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GBJ2506-06-G
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GBJ2506-G
Comchip Technology
XA2S50E-6TQ144I
Xilinx Inc.
XA6SLX16-3FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1AGX50CF484C6
Intel
10CL006ZU256I8G
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5SGSMD6K3F40C2LN
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XC5VLX50T-1FF665I
Xilinx Inc.
10AX066H3F34I3SGES
Intel
EP2OK60EQI208-2X
Intel